โดยใช้ประโยชน์จากการมีค่า อินพุตอิมพีแดนซ์(Input impedance) และ สปีดสวิท (Switching speeds)ที่สูงของมอสเฟต กับการใช้ประโยชน์ของการมีค่าแรงดันอิ่มตัวที่ต่ำของ ทรานทิสเตอร์แบบ2รอยต่อ เพื่อที่จะสร้างทรานซีสเตอร์รูปแบบใหม่ทีมีกระแสควบคุมได้ที่ คอลเลคเตอร์ (Collector,C)-อิมิเตอร์(Emitter;E)สูง กับกระแสที่ต้องใช้ในการขับ เกท ที่ต่ำมาก IGBT เกิดจากการนำส่วนที่ดีที่สุดของทรานทิสเตอร์และมอสเฟตมารวมกัน เนื้อหาที่เกี่ยวข้อง ➤ การวัดโอห์มไอซีพัลล์(PWM) ➤ ซ่อมสวิทชิ่งFlybackConverter ➤ ซ่อมสวิทชิ่ง วาริสเตอร์ (ระเบิด) ➤ สวิทชิ่งพื้นฐาน 5 แบบ 𝗪𝗮…