IGBT คือ อะไร? IGBT เกิดจากการนำส่วนที่ดีที่สุดของทรานทิสเตอร์และมอสเฟตมารวมกัน(TR+Mosfet)





โดยใช้ประโยชน์จากการมีค่า อินพุตอิมพีแดนซ์(Input impedance) และ สปีดสวิท (Switching speeds)ที่สูงของมอสเฟต กับการใช้ประโยชน์ของการมีค่าแรงดันอิ่มตัวที่ต่ำของ ทรานทิสเตอร์แบบ2รอยต่อ เพื่อที่จะสร้างทรานซีสเตอร์รูปแบบใหม่ทีมีกระแสควบคุมได้ที่ คอลเลคเตอร์ (Collector,C)-อิมิเตอร์(Emitter;E)สูง กับกระแสที่ต้องใช้ในการขับ เกท ที่ต่ำมาก IGBT เกิดจากการนำส่วนที่ดีที่สุดของทรานทิสเตอร์และมอสเฟตมารวมกัน




𝗪𝗮𝗿𝗻𝗶𝗻𝗴! 


เพิ่มเติม. กระแส ที่ C-E สูงจะสามารถขับโหลดขนาดหนักได้ และ กระแสที่ใช้ในการขับ Gate ต่ำทำให้ออกแบบวงจรภาค เกทไดร์เวอร์(Gate driver) จากสัญญาน PWM ง่ายการควบคุมก็การเปิด ปิด IGBT ก็จะง่ายไปด้วย


@fcom39 ICBG checking with analog multimeter #ช่างอิเล็กทรอนิกส์ #electronics ♬ original sound - FCOM39



คุณลักษณะของ IGBT

igbt circuit characteristics

จากการที่ IGBT เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ความคุมจากการจ่ายแรงดัน ซึ่งมันต้องการแรงดันแค่เพียงเล็กน้อยเท่านั้นเองก็สามารถสั่งการให้ทำงานได้ ซึ่งจะต่างไปจาก BJT(2รอยต่อ) ที่ต้องการกระแสที่เบสที่ต่อเนื่องและเป็นปริมาณที่เฉพาะเจาะจงเพื่อไม่ให้ BJT เกิดอาการอิ่มตัว ซึ่งลักษณะการสั่งการทำงานจะเห็นว่า IGBT จะเห็นว่ามีลักษณะทีjเป็น Unidirectional (ทิศทางเดียว) คือ สามารถทำการสั่งการโดยการจ่ายกระแสเพียงแค่ทางเดียว และควบคุมได้เพียง Forward direction(ทิศทางตรง) เท่านั้น ซึ่งไม่เหมือนกับ MOSFET ซึ่งสามารถควบคุมการทำงานได้แบบ  Bi-directional(2ทิศทาง)




สังเกตว่าการทำงานและวงจรขับเกท (Gate driver circuit) สำหรับ IGBT นั้นค่อนข้างจะเหมือนคล้ายๆกับ  N-channel power MOSFET  สิ่งที่ทำให้การออกแบบวงจรขับเกทของ IGBT และ N-channel power MOSFET  คล้ายกันน่าจะมาจากการที่มี Ron - The slope of the conduction after that point ที่เหมือนๆกันเมื่ออยู่ในสถานะนำกระแส 

IGBT มักจะถูกใช้ในอุปกรณ์เพาเวอร์อิเล็กทรอนิค เช่น อินเวอร์เตอร์ , Converter , Power Supply แทนที่การใช้ MOSFETs และ BJT เช่นปัจจุบันนิยมอย่างมากในการนำเอา IGBT มาใช้ในตู้เชื่มอินเวอร์เตอร์ เมื่อต้องงานที่มี่กระแสและแรงดันที่สูงและมีความสามารถในการรับความถี่ของการสวิตซ์ที่ค่อนข้างสูง


Bipolar junction transistors (BJTs) have very low on-resistance, but also low input resistance because it takes a current to switch the device.
Field effect transistors (FETs) do not have as low of an on-resistance, but their input resistance is very high. This means it takes very little current to switch the device.
Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are a combination of a BJT and a FET. The input signal is driving a FET so it has a very high input resistance. The FET drives the base of a BJT that provides the low on-resistance.


ทริปงานซ่อมภาคจ่ายไฟที่น่ารู้
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -  - - -


✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน
การวัดไอซีพัลล์




✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน
ทำเครื่องป้องกันช๊อต ซ่อมสวิทชิ่ง


✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน
การวัด  C ,TR , Mosfet 





✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน
บล็อกไดอะแกรม สวิทชิ่งพื้นฐาน





DATASHEET




----------------------------------------

สนใจส่งเมนบอร์ดซ่อม ราคาส่ง 
สอบถามช่องทางติดต่อด้านล่าง
ซ่อมบอร์ดโน๊ตบุคราคาเพื่อนช่าง

 







ลงโปรแกรม Office 2016-2021 ด้วยตัวเอง

ค้นหา

Translate

ต่ อ อ า ยุ W i n d o w s 1 0